SI4599DY-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 40V 6.8A，5.8A 3W，3.1W 表面贴装型 8-SOIC
物料参数
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 配置: | N 和 P 沟道 |
| FET 功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）: | 40V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6.8A，5.8A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 35.5 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 20nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 640pF @ 20V |
| 功率 - 最大值: | 3W，3.1W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装: | 8-SOIC |